針對射頻功率放大器優(yōu)化的 LDMOS 功率晶體管

STMicroelectronics 為 STPOWER 系列LDMOS 晶體管增加了廣泛的新器件，該系列 包括三個不同的產(chǎn)品系列，針對各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用中的射頻功率放大器 (PA) 進(jìn)行了優(yōu)化。

STPOWER LDMOS 器件具有高效率、低熱阻和封裝以處理高射頻功率，結(jié)合了短傳導(dǎo)通道長度和高擊穿電壓。這些特性允許具有低功耗和高可靠性的經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。

新的 STPOWER LDMOS IDCH 和 IDDE 系列擴(kuò)展了可處理的應(yīng)用范圍，是 28V/32V 共源 N 溝道增強(qiáng)型橫向場效應(yīng)射頻功率晶體管。IDCH 器件提供 8W 至 300W 的輸出功率，專為高達(dá) 4GHz 的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括 2.45GHz 工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (ISM)、無線基礎(chǔ)設(shè)施、衛(wèi)星通信以及航空電子設(shè)備和雷達(dá)設(shè)備。LDMOS 器件適用于所有類型的調(diào)制格式。

IDDE 系列包含 10W-700W 設(shè)備，適用于頻率高達(dá) 1.5GHz 的寬帶商業(yè)、工業(yè)和科學(xué)應(yīng)用。這些器件可以承受所有相位的 10:1 負(fù)載 VSWR（電壓駐波比）。它們適用于所有典型調(diào)制格式，以及大多數(shù)射頻 PA 操作類別，包括 A 類、AB 類和 C 類。它們的高效率最大限度地減少了提供所需輸出功率所需的能量，從而降低了操作成本并減少了熱量耗散從而簡化熱管理并實(shí)現(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)。

ST 還推出了新的 IDEV 系列器件，采用 50V 共源、N 溝道增強(qiáng)模式、橫向場效應(yīng)、射頻功率晶體管技術(shù)。IDEV 產(chǎn)品組合的輸出功率從 15W 到 2.2kW，專為頻率高達(dá) 250MHz 的 ISM 應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括驅(qū)動 88MHz-108MHz 范圍內(nèi)的高功率 CO 2激光器、等離子發(fā)生器、MRI 系統(tǒng)、廣播 FM 無線電發(fā)射機(jī)，以及高達(dá) 1.5GHz 的航空電子設(shè)備和雷達(dá)應(yīng)用。它們適用于所有典型調(diào)制格式以及 A 類、AB 類和 C 類的 PA 操作。

堅(jiān)固耐用的 IDEV 系列能夠提供高達(dá) 2.2kW 的連續(xù)波 (CW) 輸出功率，從 HF (3-30MHz) 頻率到高達(dá) 250MHz。這些器件通過單個陶瓷封裝提供高功率，減少了廣播發(fā)射機(jī)等大功率應(yīng)用所需的射頻功率晶體管總數(shù)。超過 82% 的電源效率可最大限度地降低系統(tǒng)電源需求，并通過簡單的熱管理確保高可靠性。